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2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片重點(diǎn)企業(yè)業(yè)務(wù)布局分析(圖)
來(lái)源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2025-03-18 09:39
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中商情報(bào)網(wǎng)訊:中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷全棧技術(shù)攻堅(jiān)與產(chǎn)能擴(kuò)張雙輪驅(qū)動(dòng)階段。3D NAND層數(shù)突破(200+層)、DRAM制程躍進(jìn)(17nm量產(chǎn))、HBM封裝(2.5D/3D集成)構(gòu)成技術(shù)升級(jí)主線,設(shè)備材料國(guó)產(chǎn)化率從不足10%提升至25%。市場(chǎng)需求端,智能汽車(車載存儲(chǔ)年復(fù)合增速35%)、AI算力(HBM需求2025年達(dá)150億美元)、信創(chuàng)替代(金融/政務(wù)SSD招標(biāo)國(guó)產(chǎn)化率超70%)形成增長(zhǎng)三角。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)凸顯,從前驅(qū)體材料(高k介質(zhì))、刻蝕設(shè)備(5nm精度)到封測(cè)(TSV/HBM)實(shí)現(xiàn)垂直打通。挑戰(zhàn)集中于知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘(DDR5專利交叉授權(quán))、設(shè)備禁運(yùn)(EUV光刻機(jī)限制)及周期波動(dòng)(NAND價(jià)格年降15%)。政策層面,大基金三期2500億元注資重點(diǎn)支持存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈,目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片自給率40%以上。

資料來(lái)源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

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