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2.1　2019-2021年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進展
2.1.6　企業(yè)競爭格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動態(tài)
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術優(yōu)勢
2.2.3　技術創(chuàng)新中心
2.2.4　項目研發(fā)情況
2.2.5　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術聯(lián)盟
2.3.3　技術領先狀況
2.3.4　產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署
2.3.5　國際合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　項目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標準現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)運行情況
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4　未來經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟

4.1　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　2019-2021年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.4　國產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2019-2021年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細分市場規(guī)模
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　區(qū)域競爭格局
4.3.5　企業(yè)競爭格局
4.3.6　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4　2019-2021年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術專利情況
5.1.6　技術發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應用領域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　應用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術發(fā)展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術專利
6.1.5　技術發(fā)展路線
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈分析
6.2.2　材料價格走勢
6.2.3　材料市場規(guī)模
6.2.4　材料技術水平
6.2.5　市場應用情況
6.2.6　企業(yè)競爭態(tài)勢
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品研發(fā)
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發(fā)展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網(wǎng)應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用

7.1　Ⅲ族氮化物半導體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應用發(fā)展狀況
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術發(fā)展
7.3.4　器件應用發(fā)展
7.3.5　未來發(fā)展趨勢
7.4　金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產(chǎn)品
7.4.4　應用發(fā)展狀況
7.4.5　器件研發(fā)進展
7.4.6　未來發(fā)展前景

8.1　第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領域發(fā)展概況
8.1.1　下游應用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2019-2021年電子電力領域發(fā)展狀況
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應用分布
8.2.4　國內(nèi)應用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價格走勢
8.3　2019-2021年微波射頻領域發(fā)展狀況
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應用規(guī)模
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2019-2021年半導體照明領域發(fā)展狀況
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　照明技術突破
8.4.6　技術發(fā)展方向
8.4.7　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　2019-2021年半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　未來發(fā)展趨勢
8.6　2019-2021年5G新基建領域發(fā)展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規(guī)模
8.6.3　賦能射頻產(chǎn)業(yè)
8.6.4　應用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　2019-2021年新能源汽車領域發(fā)展狀況
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場應用空間
8.7.5　市場需求預測

9.1　2019-2021年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　四川產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　福建產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關業(yè)務布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營效益分析
10.7.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.7.4　財務狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資動態(tài)
11.1.4　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資案例
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業(yè)競爭風險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　資金需求測算
11.6.3　經(jīng)濟效益分析
11.6.4　項目投資必要性
11.6.5　項目投資可行性

12.1　第三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　第三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2022-2027年中國第三代半導體行業(yè)預測分析
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表1　第三代半導體特點
圖表2　第三代半導體主要材料
圖表3　不同半導體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導體襯底制備流程
圖表12　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國際電工委員會（IEC）第三代半導體標準
圖表15　固態(tài)技術標準協(xié)會（JEDEC）第三代半導體標準
圖表16　國際部分汽車電子標準
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
圖表18　1990-2020年國外SiC技術進展
圖表19　國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國際企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
圖表21　國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2020年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　2020年國際主要第三代半導體企業(yè)布局情況（一）
圖表27　2020年國際主要第三代半導體企業(yè)布局情況（二）
圖表28　2020年主要第三代半導體企業(yè)合作動態(tài)
圖表29　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表30　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表31　2020年美國設立的部分第三代半導體相關研發(fā)項目
圖表32　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表33　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表34　2020年歐盟和英國設立的部分第三代半導體相關研發(fā)項目
圖表35　歐洲LAST POWER產(chǎn)學研項目成員
圖表36　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導體相關內(nèi)容
圖表37　2019-2021年國家層面第三代半導體支持政策匯總
圖表38　截至2021年地方層面第三代半導體行業(yè)相關政策匯總（一）
圖表39　截至2021年地方層面第三代半導體行業(yè)相關政策匯總（二）
圖表40　中國第三代半導體現(xiàn)行國家標準和行業(yè)標準
圖表41　CASA聯(lián)盟第三代半導體團體標準
圖表42　2020年GDP最終核實數(shù)與初步核算數(shù)對比
圖表43　2021年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表44　2016-2020年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表45　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表46　2020-2021年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
圖表47　2016-2020年普通本?？啤⒅械嚷殬I(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表48　2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表49　2016-2020年研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費支出及其增長速度
圖表50　2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表51　2016-2021年全國R&D經(jīng)費及投入強度情況
圖表52　2016-2021年全國基礎研究經(jīng)費及占R&D經(jīng)費比重情況
圖表53　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術合作與轉(zhuǎn)化
圖表54　截至2021年底中國第三代半導體領域?qū)＠暾圱OP10
圖表55　2002-2021年中國第三代半導體領域地區(qū)專利申請趨勢
圖表56　國家重點研發(fā)計劃2021年度第三代半導體項目申報情況（一）
圖表57　國家重點研發(fā)計劃2021年度第三代半導體項目申報情況（二）
圖表58　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表59　第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表60　全球推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)和技術發(fā)展的國家計劃
圖表61　《中國制造2025》第三代半導體相關發(fā)展目標
圖表62　2019年中國主要企業(yè)SiC、GaN產(chǎn)能