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2022年中國碳化硅行業(yè)市場前景及投資研究報(bào)告（簡版）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2022-08-25 17:05

碳化硅

三、碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.碳化硅功率器件

（1）市場規(guī)模

碳化硅功率器件又稱電力電子器件，主要應(yīng)用于電力設(shè)備電能變換和控制電路方面的大功率電子器件，有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。

隨著技術(shù)突破和成本的下降，SiC器件預(yù)計(jì)在不遠(yuǎn)的將來會大規(guī)模的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018年和2021年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和9.3億美元，復(fù)合增速約32.4%，按照該復(fù)合增速，中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)2022年碳化硅功率器件市場規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅器件市場規(guī)模增速可觀。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

（2）競爭格局

在功率器件端，目前意法半導(dǎo)體一家獨(dú)大，前幾位均為國外公司，國內(nèi)公司尚未形成一定市占率。其中STM占比最多，達(dá)40%。其次分別為Wolfspeed、Rohm、Infineon、Onsemi，占比分別為15%、14%、13%、9%。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

2.碳化硅功率半導(dǎo)體

與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。根據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì)，2019年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為8.9億美元，受益于新能源汽車及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長，2020年約為11.2億美元。預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)26.6億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)到24.5%。